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Cypress非易失性SRAM技術(shù)
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規(guī)異步SRAM。
2019-12-23
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全球兩大半導體發(fā)表MRAM制造工藝新技術(shù)
但隨著制造成本降低以及其他內(nèi)存技術(shù)面對微縮挑戰(zhàn)，嵌入式MRAM越來越受青睞。重要的是，隨著新的工藝技術(shù)進展，SRAM內(nèi)存單元的尺寸并不會隨著其后的先進工藝而縮小，因此MRAM將會變得越來
2019-12-19
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智能應(yīng)用激發(fā)靈動微MCU大量需求
靈動微婁方超表示智能應(yīng)用激發(fā)了MCU的大量需求，例如僅僅一個智能門就需要三顆MCU如果需要實現(xiàn)無線控制，還需要能支持無線藍牙的的MCU
2019-12-17
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靈動微MCU ARM Cortex-M3系列的測試
ARM Cortex-M系列微處理器主要用于低成本和低功耗領(lǐng)域，如智能測量、人機接口設(shè)備、汽車和工業(yè)控制系統(tǒng)、大型家用電器、消費性產(chǎn)品和醫(yī)療器械等領(lǐng)域。ARMCortex-M3內(nèi)核搭載了若干種調(diào)試相關(guān)
2019-12-11
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非易失性MRAM架構(gòu)說明
正因為STT-MRAM是一種高性能的存儲器,足以挑戰(zhàn)現(xiàn)有的DRAM和SRAM等,因此非常有可能成為未來重要的存儲器技術(shù) 預計STT-MRAM可以擴展至10nm以下制程,并挑戰(zhàn)快閃存儲器的更低成本
2019-12-09
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非易失性MRAM三個主要的應(yīng)用市場
根據(jù)調(diào)查指出，包括車用市場以及物聯(lián)網(wǎng)等市場，都是MRAM成長動能最高的領(lǐng)域。許多專家都預言，MRAM將帶來下一次的儲存浪潮。MRAM的主要特性
2019-12-05
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