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三星電子的核心MRAM技術(shù)
三星的 eMRAM 和 MRAM 目前都是下一代內(nèi)存創(chuàng)新的核心。自 2019 年 3 月基于 28 納米（nm）全耗盡絕緣體硅（FD-SOI）工藝的
2023-11-15
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三星電子預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)2024年復(fù)蘇
三星電子公布了截至2023年9月30日的第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。報(bào)告期內(nèi)，三星電子實(shí)現(xiàn)合并總營(yíng)收67 4萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(zhǎng)12%，負(fù)責(zé)半導(dǎo)體的設(shè)備
2023-11-09
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汽車MRAM存儲(chǔ)芯片MR25H10
Everspin存儲(chǔ)芯片MR25H10是一個(gè)1048576位的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）設(shè)備，被組織為8位的131072個(gè)字。MR25H10提供串行EEPROM和串行閃
2023-10-24
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韓國(guó)NAND閃存芯片出口額恢復(fù)增長(zhǎng)
韓國(guó)貿(mào)易部周一公布數(shù)據(jù)顯示，韓國(guó)9月NAND閃存出貨量同比增長(zhǎng)5 6%，8月下降8 9%。存儲(chǔ)芯片行業(yè)的另一個(gè)支柱——DRAM的出口同期減少了24
2023-10-18
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PSRAM概述
PSRAM即偽靜態(tài)RAM,要講到PSRAM首先得從SRAM和DRAM講起。 SRAM和DRAM都代表易失性的存儲(chǔ)形式，當(dāng)電源掉電時(shí)內(nèi)容丟失。SRAM使用六晶體管
2023-10-12
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?4Mbit異步快速SRAM芯片EMI504NF08VA-10I
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片廠家EMI504NF08VA-10I是一款容量4Mbit的SRAM存儲(chǔ)器，組織為512Kx8位。它使用8條公共輸入和輸出線，并具有一個(gè)輸出使能引腳
2023-10-08
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