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低功耗SDRAM提供了多種選擇改善待機功耗
移動或低功耗SDRAM提供了多種選擇來同時改善活動和待機功耗。減少有功和備用電源可延長電池壽命并提高系統(tǒng)可靠性。通過考慮系統(tǒng)使用，工程
2021-03-22
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使用擴展SRAM設計的存內計算
最近的ISSCC上，臺積電的研究人員提出了一種基于數(shù)字改良的SRAM設計存內計算方案，能支持更大的神經網絡 上圖顯示了臺積電用于其測試的擴展
2021-03-18
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SK海力士收購英特爾NAND閃存業(yè)務再獲許可
根據(jù)Bloomberg的報道，SK海力士就擬議的英特爾NAND閃存業(yè)務收購獲得了美國外國投資委員會(簡稱CFIUS)的許可。這是自去年美國聯(lián)邦貿易委員會
2021-03-12
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everspin代理并口MRAM存儲芯片MR4A16B
MR4A16B是一個16,777,216位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備，組織為1,048,576個16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns讀 寫時序，具有無限
2021-03-09
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Nand Flash六大廠商未來規(guī)劃曝光
展望2021年，集邦咨詢認為第一季度供給端由于三星（Samsung）、長江存儲（YMTC）積極擴產以及各供應商均轉進更高層數(shù)等影響，位元產出將顯
2021-03-05
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NOR Flash來自“5G、汽車、工業(yè)”的技術挑戰(zhàn)
NOR Flash從產品設計和制造工藝及封測及應用來看，相比消費類電子、5G基站、汽車電子和工業(yè)電子更加考驗NOR Flash的綜合實力。5G基站、汽
2021-03-03
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