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NOR Flash市場規(guī)模增速喜人
NOR Flash和Nand Flash是目前兩種主要的非易失閃存技術。Nand Flash具有容量大、單位容量成本低等特點是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。
2021-02-03
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電機驅動MCU通用功能和技術點解析
電機驅動MCU技術要點它是電機控制器即動力輸出。通俗點就是你要加速他讓電機轉得快一些，要剎車他能讓電機轉的慢一點。所以他有如下特點：
2021-02-01
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非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點
在嵌入式系統(tǒng)中，F(xiàn)lash和EEPROM能夠存儲可用于通信或執(zhí)行某些功能的數(shù)據(jù)。它們可以通過多種不同的串行協(xié)議（包括SPI或串行外圍設備接口）來
2021-01-28
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Nand Flash控制器將上漲約15~20%
集邦咨詢：上游晶圓代工產能緊缺，NandFlash控制器將上漲約15~20%根據(jù)集邦咨詢旗下半導體研究處調查顯示，受限于上游臺積電與聯(lián)電等晶圓代
2021-01-26
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MRAM實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市
2021-01-22
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將賽普拉斯nvSRAM替換為MRAM
本章節(jié)對賽普拉斯 4 Mbit（256K x 16）nvSRAM 和 MRAM器件分別在 44 引腳 TSOP-II（薄小外型封裝-II 類型）和 48球型焊盤 FBGA
2021-01-20
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