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如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低
采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢呢?舉例說明:TI做了一個(gè)實(shí)驗(yàn),如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時(shí)間,大約要用2200uA的功耗去做寫
2020-11-26
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提升SRAM性能的傳統(tǒng)方法
隨著諸如醫(yī)療電子和無線傳感節(jié)點(diǎn)等應(yīng)用的興起,低功耗芯片受到了越來越廣泛的關(guān)注 這類芯片對性能和功耗要求苛刻 靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)作為
2020-11-24
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傳統(tǒng)存儲器和新興存儲器應(yīng)用
舊版存儲不再是使用壽命短的低端設(shè)備,因?yàn)橹饕?yīng)商都將精力集中在最新和最重要的產(chǎn)品上。隨著越來越多的智能設(shè)備和融合了AI的邊緣計(jì)算以
2020-11-20
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自旋傳遞扭矩STT-MRAM通用存儲器
自旋傳遞扭矩RAM(STT-MRAM)它結(jié)合了非易失性,出色的可擴(kuò)展性和耐用性以及較低的功耗和快速的讀寫功能。自旋傳遞轉(zhuǎn)矩(STT)寫入是一種通
2020-11-18
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選擇低功率MCU需考慮外設(shè)功耗與電源管理
MCU功耗在目前的電池供電應(yīng)用中正變得越來越舉足輕重。大多MCU微控制器芯片廠商都提供低功耗產(chǎn)品,但是選擇一款最適合自己應(yīng)用的產(chǎn)品并非易事,并不像查詢對比數(shù)據(jù)表的數(shù)據(jù)那么簡單。
2020-11-16
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Cypress存取時(shí)間為10納秒的異步SRAM
Cypress16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個(gè)晶體管﹐采用6個(gè)晶體管存儲單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SRAM的后
2020-11-12
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